توان پالسی طرحی است برای تخلیه انرژی ذخیره شده الکتریکی بر روی بار در یک پالس کوتاه یا پالسهایی کوتاه با نرخ تکرار قابل کنترل. فناوری تولید توان پالسی به دو شاخه پالسهای کم توان و پالسهای پر توان تقسیم می شود. پالسهای کم توان در حوزه مخابرات، الکترونیک سرعت بالا، اندازه گیری و پالسهای پرتوان دارای توانی در حد چند مگاوات یا بیشتر بوده ویژگی این پالسها در جدول زیر نشان داده شده است.
فناوری پالسهای پرقدرت ایده اصلی آن مبتنی بر جمع آوری انرژی از منابع عادی اولیه در سطوح پایین توان و چگالی توان اندک و در درمرحله بعد ذخیره سازی موقت آن انرژی است سپس انرژی به سرعت از منبع ذخیره موقت رها می شود و شکل پالسی می یابد. و در نهایت پس از فشرده سازی توان پالسی، انرژی الکتریکی با سطوح بالای توان و چگالی توان به بار انتقال می یابد.[1]
شکل 1-1 محدوده توان پالسی
شکل 1-2 شکل ظاهری پالس
علاوه بر توان و انرژی، پالسها با نوع شکل شان نیز شناسایی می شوند. مثلاً با زمان صعود، زمان افت، عرض پالس یا صافی سطح پالس. معمولاً عرض پالسها توان بالا بین چند نانو ثانیه تا چند میکروثانیه در نظر گرفته می شود.(شکل 1-1)
زمان صعود زمانی است که ولتاژ از 10% تا 90% اندازه نهایی افزایش می یابد. زمان افت نیز مدت زمان افت ولتاژ از 90% تا 10% است. زمان افت و صعود تا حدود زیادی به امپدانس بار بستگی دارد که با زمان معمولاً متغیر است. تعریف واحدی برای عرض پالس در منابع وجود ندارد اما برای برخی کاربردها بهتر است مدت زمانی که شکل موج حداقل 90% مقدار بیشینه را دارد تعریف گردد.
جدول ‏0‑1 محدوده توان پالسی

طرح توان پالس قابلیت شکل دهی پالس را علاوه بر چند برابر کنندگی توان دارا می باشد. مثلاً می توان زمان صعود و عرض پالس دلخواه را ایجاد کرد. برای بهینه سازی انتقال انرژی به بار تبدیل امپدانس ممکن است نیاز باشد. شکل 1-2 اجزای مولد پالس را نشان می دهند.

1-2                     ذخیره سازی

انرژی می تواند به صورت شیمیایی، مکانیکی یا الکتریکی ذخیره شود. در بعضی دستگاه ها انفجار شیمیایی برای فشرده سازی شار مغناطیسی موجود، استفاده می شود. و بدین ترتیب توان را تا جایی افزایش می دهد که انرژی مغناطیسی ذخیره شده بتواند آزاد شود.
انرژی مکانیکی می تواند در روتور یک ژنراتور ذخیره شود. انرژی الکتریکی می تواند هم به صورت خازنی در میدان الکتریکی یا به صورت القایی در میدان مغناطیسی ذخیره گردد. در مورد اول 2/1 w_e= با ضریب عایقی 6 و قدرت شکست 0.78 E=بیشینه چگالی انرژی 161 w_e= بدست می آید.
به دلیل محدود بودن بسته بندی خازن این مقدار باید در 5.0 ضرب شود بنابراین بیشینه ظرفیت ذخیره سازی خازن 80 w_e=   خواهد بود.
در مورد سلف در اینجا بشینیه چگالی انرژی به دلیل ذوب فلز دو سطح رسانا یا با قدرت مکانیکی سلف ذخیره ساز محدود می شود. گرمایش سلف در اثر تلفات ژولی در سطح رسانا به دلیل جریانهای گردابی است که در اثر القای میدان مغناطسی ایجاد می شود.
در این مورد میانگین چگالی انرژی 3900 است. حتی با در نظر گرفتن شرایطی فنی مانند سازه های نگهدارنده، عایق سازی و غیره مشاهده می شود که چگالی انرژی ذخیره شده در میدان مغناطیسی می تواند تا 100 برابر انرژی ذخیره شده در میدان الکتریکی باشد.
اجزای اصلی مولد با ذخیره ساز خازنی در شکل 1-3 نمایش داده شده است. این مولد به تعداد بیشتری سویچ بسته شونده نیاز دارد که در زمان شارژ باز بماند و ولتاژ شارژ را نگه دارد. زمانی که سویچ بسته می شود مولد به چند برابر کنندگی ولتاژ یا جریان می رسد.
[1] simulink
[2] MATLAB
[3] GOSET Genetic optimization System Engineering Tool
ممکن است هنگام انتقال از فایل اصلی به داخل سایت بعضی متون به هم بریزد یا بعضی نمادها و اشکال درج نشود ولی در فایل دانلودی همه چیز مرتب و کامل و با فرمت ورد موجود است

متن کامل را می توانید دانلود نمائید

چون فقط تکه هایی از متن پایان نامه در این صفحه درج شده (به طور نمونه)

ولی در فایل دانلودی متن کامل پایان نامه

 با فرمت ورد word که قابل ویرایش و کپی کردن می باشند

موجود است